Superszybkie DRAM-y Elpidy
5 października 2007, 11:40Elpida i Rambus ogłosiły powstanie najbardziej wydajnych układów pamięci DRAM na świecie. Kości XDR pracują z częstotliwością 4,8 gigaherca i zapewniają transfer danych rzędu 9,6 gigabita na sekundę.
Taka Noc się zdarza raz
2 października 2008, 11:49Podczas gdy uprzejme roboty częstują odwiedzających czekoladą i rozlewają szampana, tresowane metodą odmawiania smakołyków bakterie rozkładają fenol. W pobliżu słychać zespół odkurzaczy sprzed kilkunastu lat, które wcale nie trafiły do muzeum czy dziwacznej orkiestry, ale zostały wykorzystane w aparaturze do oczyszczania powietrza.
Wyciąganie soli a produkcja nanokabli
1 lipca 2009, 16:31Jak już niejednokrotnie wykazano, właściwości wielu materiałów są inne w naszym świecie, a inne w skali nano. Tym razem zauważono, że zwykła sól, która jest dla nas materiałem nieelastycznym, w skali nano rozciąga się o ponad 100%.
Bliżej eksaflopsa
4 marca 2010, 11:20Specjaliści IBM-a dokonali niezwykle ważnego kroku na drodze do zastąpienia połączeń elektrycznych optycznymi w układzie scalonym. Inżynierowie zaprezentowali nanofotoniczny fotodetektor lawinowy. To najszybsze tego typu urządzenie, które umożliwi zbudowanie eksaflopowych komputerów.
DirectX 11 dopiero w Ivy Bridge
10 stycznia 2011, 17:18Przyszła generacja układów Intela - Ivy Bridge - będzie obsługiwała DirectX 11. W najnowsze kości z rodziny Sandy Bridge wbudowano układ graficzny, który nie współpracuje z najnowszymi bibliotekami graficznymi.
Anoda lepsza niż inne
16 listopada 2011, 12:25Na Northwestern University powstała nowa anoda dla akumulatorów litowo-jonowych. Umożliwia ona przechowywanie 10-krotnie więcej ładunku niż obecne elektrody, a sam akumulator można załadować 10-krotnie szybciej.
Fujifilm opracowuje nową technikę zapisu danych
14 listopada 2012, 10:25Fujifilm Corp. opracowało technologię zapisu danych na nośnikach optycznych, która wykorzystuje zjawisko jednoczesnej absorpcji dwóch fotonów przez molekułę. Polega ono na absorpcji dwóch fotonów o identycznej lub różnych częstotliwościach. Ich absorpcja prowadzi do wejścia molekuły na wyższy poziom energetyczny
Molekuły POM przyszłością pamięci flash?
21 listopada 2014, 13:26Nowa molekuła może być odpowiedzią na ograniczoną pojemność układów flash. Komponenty MOS (metal-oxide-semiconductor) wykorzystywane do produkcji pamięci flash są ograniczone fizycznym limitem wielkości komórki pamięci. Bardzo trudno bowiem jest je zmniejszyć poniżej 10 nanometrów, co ogranicza liczbę komórek, jakie można umieścić na tradycyjnym krzemowym układzie.
TSMC zapowiada szerokie wdrożenie EUV
15 lipca 2016, 09:24Największy na świecie producent półprzewodników, TSMC, oświadczył, że ma na szeroką skalę wykorzystywać ekstremalnie daleki ultrafiolet (EUV). Sądzimy, że EUV do roku 2020 stanie się opłacalna przy masowej produkcji. Planujemy wówczas wdrożenie technologii 5 nanometrów
Odwrócona fala światła na metapowierzchni hiperbolicznej
27 lutego 2018, 09:31Naukowcy z CIC nanoGUNE z San Sebastian w Hiszpanii poinformowali na łamach Science o opracowaniu tzw. metapowierzchni hiperbolicznej, na której światło rozprzestrzenia się w zupełnie inny sposób niż zwykle.
